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반도체 8대 공정은 반도체 제조 과정에서 가장 중요한 공정들을 말합니다. 이 공정들은 반도체 제조에서 필수적으로 거쳐야 하는 단계들이며, 제조된 반도체의 품질과 성능에 큰 영향을 미칩니다.
반도체 8대 공정
- 웨이퍼 절단 (Wafer Slicing): 반도체 제조에 사용되는 실리콘 웨이퍼를 특정 두께로 절단하는 과정입니다.
- 웨이퍼 평탄화 (Wafer Planarization): 웨이퍼의 표면을 평탄화하여 고르게 만드는 과정입니다. 이는 반도체의 박막 증착 등 다른 공정에 영향을 미칩니다.
- 박막 증착 (Thin Film Deposition): 웨이퍼에 다양한 물질을 증착시키는 과정입니다. 이 공정을 통해 반도체의 전기적 특성을 제어할 수 있습니다.
- 광파 웨이퍼 노광 (Photolithography): 웨이퍼 위에 패턴을 만들기 위해 광원을 사용하여 반도체에 빛을 조사하는 과정입니다.
- 엣칭 (Etching): 웨이퍼 표면에 존재하는 부분을 부식시키는 과정입니다. 이 공정을 통해 반도체 위의 박막에서 원하는 패턴을 만들어낼 수 있습니다.
- 이온 주입 (Ion Implantation): 웨이퍼에 이온을 주입하여 반도체의 전자 구조를 제어하는 과정입니다.
- 박막 제거 (Thin Film Removal): 웨이퍼 위의 박막을 제거하는 과정입니다. 이 공정은 엣칭과 함께 반도체의 패턴 제어에 중요한 역할을 합니다.
- 후공정 (Post-processing): 제조된 반도체 칩을 가공하는 과정입니다. 이 과정에서 반도체 칩에 다양한 소자가 부착됩니다.
반도체 12대 공정
요즘에는 반도체 제조 기술의 발전으로 12대 공정이라는 개념이 등장했습니다. 12대 공정은 8대 공정에 더해 4가지의 공정이 더 추가된 것입니다. 12대 공정의 추가된 4가지 공정은 다음과 같습니다.
- 캡슐화 (Encapsulation): 반도체 칩을 보호하기 위해 특수한 재료로 봉합하는 과정입니다.
- 전극 포화 (Interconnection): 칩 내부에서 전류를 전달하기 위해 전극을 구성하는 과정입니다.
- 불화수소 증착 (Hydrogen Fluoride Vapor Phase Epitaxy, HF VPE): 반도체 제조에서 필요한 다양한 박막 중 하나인 광학적인 특성을 가진 GaN (Gallium Nitride) 박막을 증착하는 과정입니다.
- 복합 박막 증착 (Deposition of Composite Films): 다양한 성질의 박막을 조합하여 제조되는 반도체 소자에 필요한 복합 박막을 증착하는 과정입니다.
따라서, 12대 반도체 공정의 순서는 다음과 같습니다.
- 웨이퍼 절단 (Wafer Slicing)
- 웨이퍼 평탄화 (Wafer Planarization)
- 박막 증착 (Deposition)
- 광학 노광 (Photolithography)
- 엣칭 (Etching)
- 이온 주입 (Ion Implantation)
- 박막 제거 (Thin Film Removal)
- 캡슐화 (Encapsulation)
- 전극 포화 (Interconnection)
- 불화수소 증착 (Hydrogen Fluoride Vapor Phase Epitaxy, HF VPE)
- 복합 박막 증착 (Deposition of Composite Films)
- 후공정 (Final Process)
각 공정에서 시장 점유율 1등 회사
- 웨이퍼 절단: Disco Corporation, ADT
- 웨이퍼 평탄화: Applied Materials, Lam Research
- 박막 증착: Applied Materials, Tokyo Electron
- 광파 웨이퍼 노광: ASML Holding, Nikon
- 엣칭: Applied Materials, Lam Research
- 이온 주입: Applied Materials, Axcelis Technologies
- 박막 제거: Tokyo Electron, Lam Research
- 후공정: ASML Holding, KLA-Tencor
특히 AMAT은 모든 공정 장비들을 다루는 회사이며, 매출액 기준 1등입니다. 영업이익 기준으로는 ASML이 1등이고요.
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